摘要: 由于半导体激光器输出光束的不对称性, 使得它在许多应用过 程中必须采用特殊的光学系统进行光束整形。 在设计光学系统的光学 元件及进行光学耦合时需要了解激光器的远场特性。 通过用量子阱激 光器的解理面上的边界条件解亥姆霍兹方程 , 获得关于远场强度分 布、光束散角, 并用计算机给出各种理论曲线及数据。用自行设计制 作的测试装置测量, 获得激光器的远场分布曲线给出了测试数据。计 算机给出的理论远场分布曲线与实验测试获得的远场分布曲线完全 一致。 引言:近年来, 高功率激光器在军事、工业欧洲杯-米乐M6官方网站、医学等方面有着重要的 应用前景, 如在强激光武器、激光引信、激光制导、跟踪、测距、精 密机械加工、光储存、光泵浦、激光化学、激光医学等都已广泛的应 用。但在这些应用过程中, 由于半导体激光器的波导结构特点使输出 光束的发散角很大 , 几乎所有激光器的输出光束都必须通过特殊的 光学系统准直。因此 , 研究半导体激光器光束远场特性具有重要意 义。 一:半导体激光器的远场分布
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