氮化镓(GaN)基蓝光半导体激光器具有驱动能耗低、输出能量大、体积小、性能稳定的特点,在光电子领域有着非常重要的应用前景和研究价值,多年来一直备受各个国家关注。2002年半导体所杨辉研究员和陈良惠院士领导的研究团队承担了国家“863”重大项目“氮化镓基激光器”(GaNLD),开始了对GaN蓝光激光器的攻关研发。经过两年多的努力,该所于2004年11月16日首次实现了在蓝宝石衬底上GaN蓝光激光器的脉冲激射。这引起了业界人士和相关部门领导极大关注,并得到国家“863”项目连续支持和中科院知识创新工程重要方向性支持欧洲杯-米乐M6官方网站。欧洲杯-米乐M6官方网站
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