欧洲杯-米乐M6官方网站行业洞察丨化合物半导体高速发展多点助力新兴科技领域

　　第三代半导体材料为宽禁带半导体材料，以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）为代表，在半导体照明、充电器芯片、能源互联网、高铁芯片、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。不同的半导体材料有其特定的特性和用途，它们共同的的发展推动着整个半导体产业的长足发展。其中，第二代III-V族化合物半导体欧洲杯-米乐M6官方网站，在消费电子、通信、数据中心、新一代显示、雷达、激光雷达等领域的广阔应用前景，也是半导体产业发展的核心之一。

　　衬底加工及外延是III-V族化合物半导体产业的关键基础工序。衬底作为化合物半导体外延层生产的基础，在晶圆中发挥着支撑和固定的作用。衬底厂采购金属镓、高纯砷等原材料后，采用LEC法、HB法、VB法或VGF法生长出化合物半导体晶体，切片研磨抛光后形成化合物半导体衬底卖给外延厂。III-V族化合物半导体外延则是在经过精密加工的单晶衬底上，通过MOCVD或MBE技术生长出一层单晶外延层，可以与衬底为同一材料或不同材料，从而有助于提升器件设计的灵活性和器件的性能。

　　在下游应用层面，III-V族化合物半导体具有良好的电子迁移率、饱和电子速度等物理特性，主要应用于射频、光电等领域。但由于砷化镓与磷化铟适用的工作频率和输出功率略有差异，因此目前砷化镓材料主要用于以LED为主的包括射频、光电等三个领域，目前，其在LED领域的应用超过整体的40%，随着Mini LED及Micro LED技术在显示面板领域应用逐渐成熟，预计该占比在未来会有较大幅度的上升。而磷化铟目前主要用于光电领域，占整体市场约80%，但在未来随着无线传输网络对高频射频器件需求的增长，磷化铟有望在射频器件材料中进一步渗透。

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　　伴随着中国政策的大力支持，以及国内企业在软硬件技术、下游客户、研发创新等方面的不断积累，逐步提升国产化率，走向国际市场。虽然目前全球III-V族化合物半导体外延片市场主要由海外厂商包括IQE和英特磊等主导，但未来中国企业将通过提高产能、产品性能、加强品牌建设、拓宽产品应用领域等方式，进一步提高在国际市场上的竞争力和市场占有率。预计到2027年，中国砷化镓外延片在全球市场规模的占比有望达到约40%，而中国磷化铟外延片在全球市场规模的占比有望达到约20%。