米乐M6(MiLe)亚洲官方网站- 赔率最高在线投注平台碳化硅技术赋能EA10000系列电源——技术解析与优势阐述

　　三相系统电源的先代产品使用硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。IGBT能够支持1200V的电压并且提供大电流。然而，IGBT的导通和开关损耗很高。相比之下，碳化硅MOSFET这种高功率半导体的导通和开关损耗要低得多。如图1所示，当用作开关时，碳化硅MOSFET的电压降比等效IGBT更低。碳化硅MOSFET的导通电阻（RDS(on)）在低负载时比饱和IGBT的pn结电阻更低。因此，碳化硅MOSFET的导通损耗比IGBT的导通损耗更低。如图1右侧所示米乐M6(MiLe)亚洲官方网站- 赔率最高在线投注平台，开关损耗的差异要显著得多。硅IGBT的电容比碳化硅MOSFET更高，并且IGBT需要更多时间才能关断。图1表明，碳化硅MOSFET将开关能量损耗降低了10倍。米乐M6(MiLe)亚洲官方网站- 赔率最高在线投注平台(访问: hash.cyou 领取999USDT）